在P-N结的内静电场作用下，N区的空穴向P区运动，而P区的电子向N区运动。（ ）
对
举一反三
- 在足够能量的太阳光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动。(<br/>)
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
- 不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？ A: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。 B: △Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。 C: △Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。 D: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的向P区运动,P区的向N区运动。() A: 空穴,自由电子 B: 空穴,空穴 C: 自由电子,空穴 D: 自由电子,自由电子
- 在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的________向P区运动,P区的________向N区运动。
内容
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在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的__1__向P区运动,P区的 ____向N区运动。
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平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
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18.在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的( )向P区运动,P区的( )向N区运动,正确的是( )。 A: 多子 多子 B: 少子 电子 C: 多子 少子 D: 电子 空穴
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半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ） A: N区的电子向P区扩散 B: N区的空穴向P区扩散 C: P区的电子向N区扩散 D: P区的空穴向N区扩散
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平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了