半导体的功函数定义为真空能级E0和半导体费米能级之差，对于n型硅半导体杂质浓度越高功函数（ ）
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 不确定
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 不确定
举一反三
- 半导体的功函数定义为真空能级E0和（ ）之差? ;Ev|Eg|;Ec|费米能级
- 对于p型硅半导体杂质浓度越高功函数（ ） A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定
- 理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
- 平衡态的肖特基势垒二极管半导体势垒区势垒的高度由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
- 用E0表示真空中静止电子的能量，半导体中电子亲合能为： A: E0与半导体费米能级之差 B: E0与半导体本征费米能级之差 C: E0与半导体价带顶之差 D: E0与半导体导带底之差