集成电路制造中图形转移是通过什么工艺实现的
A: 扩散
B: 刻蚀
C: 光刻
D: 蒸发
A: 扩散
B: 刻蚀
C: 光刻
D: 蒸发
C
举一反三
内容
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在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。 A: 显影 B: 光刻 C: 涂胶 D: 抛光
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集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
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集成电路制造工艺需要用到光刻、刻蚀、掺杂、氧化等工艺，是一个非常复杂经过多道工序的过程。
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实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。 A: 光刻 B: 刻蚀 C: 氧化 D: 溅射
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现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（） A: 扩散 B: 化学机械抛光 C: 刻蚀 D: 离子注入