本征半导体中的载流子有：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 多子
D: 少子
A: 自由电子
B: 空穴
C: 多子
D: 少子
A,B
举一反三
- 本征半导体中的载流子有： A: 自由电子 B: 空穴 C: 多子 D: 少子
- 本征半导体中的载流子有（）。 A: 自由电子 B: 空穴 C: 电子空穴对 D: 少量空穴和大量自由电子
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 半导体中存在两种载流子，其中带正电的载流子是 。 A: 自由电子 B: 空穴 C: 多子 D: 少子
- 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（） A: P型半导体，其少子为自由电子 B: N型半导体，其多子为自由电子 C: P型半导体，其少子为空穴 D: N型半导体，其多子为空穴
内容
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本征半导体中的导电载流子有() A: 自由电子 B: 空穴 C: 自由电子和空穴两种 D: 正离子
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在本征半导体中，（）是同时出现的. A: 多子和少子 B: 正离子和负离子 C: 自由电子和空穴
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有关N型半导体的说法，正确的是： A: 在本征半导体中加入微量的五价元素，可使半导体中自由电子浓度大为增加，形成N型半导体。 B: N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子） C: N型半导体，载流子电子远多于空穴，故带负电荷。 D: 与本征半导体相比，导电能力大大降低。
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本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（） A: 电子载流子 B: 空穴载流子 C: 电子载流子和空穴载流子
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P型半导体中多子是（），少子是（）。 A: 自由电子空穴 B: 空穴自由电子 C: 负离子空穴 D: 自由电子正离子