在成核生长型相变中，临界晶核半径越大，晶核越容易形成（ ）。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
- 在成核生长型相变中，临界晶核半径越大，晶核越容易形成（ ）。
- 中国大学MOOC: 1.在成核生长型相变过程中，随着过冷度降低，临界晶核半径r*（），晶核形成越（）
- 在成核生长型相变过程中,随着过冷度降低,临界晶核半径r*( ),晶核形成越() A: 增加,容易 B: 下降,困难 C: 增加,困难 D: 下降,容易
- 过冷度△T对成核生长型相变的临界晶核形成与晶体生长速率皆有影响，其影响规律是（ ） A: 过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 B: 过冷度△T越小，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 C: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢 D: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快
- 按照成核生长机理进行液固相变时，过冷度越大临界晶核半径（），表示新相（）形成。
内容
- 0
在熔体析晶相变时，存在临界晶核半径rk，在析晶相变过程中临界晶核半径越小，则析晶相变过程越容易进行。 A: 正确 B: 错误
- 1
晶核形成时，临界晶核形成功越大，越容易形核 。 A: 正确 B: 错误
- 2
在熔体析晶相变时，存在临界晶核半径rk，在析晶相变过程中临界晶核半径越小，则析晶相变过程越容易进行。
- 3
在成核生长型相变过程中,在一定范围内,随着过冷度增加,成核位垒∆G*( ),晶核形成越( ) A: 增加,容易 B: 下降,困难 C: 增加,困难 D: 下降,容易
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中国大学MOOC: 3.在成核生长型相变过程中，在一定范围内，随着过冷度增加，成核位垒∆G*（），晶核形成越（）