在成核生长型相变过程中,随着过冷度降低,临界晶核半径r*( ),晶核形成越()
A: 增加,容易
B: 下降,困难
C: 增加,困难
D: 下降,容易
A: 增加,容易
B: 下降,困难
C: 增加,困难
D: 下降,容易
C
举一反三
内容
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过冷度△T对成核生长型相变的临界晶核形成与晶体生长速率皆有影响，其影响规律是（ ） A: 过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 B: 过冷度△T越小，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 C: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢 D: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快
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按照成核生长机理进行液固相变时，过冷度越大临界晶核半径（），表示新相（）形成。
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在熔体析晶相变时，存在临界晶核半径rk，在析晶相变过程中临界晶核半径越小，则析晶相变过程越容易进行。
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在熔体析晶相变时，存在临界晶核半径rk，在析晶相变过程中临界晶核半径越小，则析晶相变过程越容易进行。 A: 正确 B: 错误
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过冷度愈大，临界晶核半径，相应的相变 。