中国大学MOOC: 1.在成核生长型相变过程中，随着过冷度降低，临界晶核半径r*（），晶核形成越（）
举一反三
- 在成核生长型相变过程中,随着过冷度降低,临界晶核半径r*( ),晶核形成越() A: 增加,容易 B: 下降,困难 C: 增加,困难 D: 下降,容易
- 中国大学MOOC: 3.在成核生长型相变过程中，在一定范围内，随着过冷度增加，成核位垒∆G*（），晶核形成越（）
- 在成核生长型相变中，临界晶核半径越大，晶核越容易形成（ ）。
- 在成核生长型相变中，临界晶核半径越大，晶核越容易形成（ ）。 A: 正确 B: 错误
- 过冷度△T对成核生长型相变的临界晶核形成与晶体生长速率皆有影响，其影响规律是（ ） A: 过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 B: 过冷度△T越小，临界晶核越容易形成，晶体生长越快 C: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢 D: 在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快