若杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近电荷相同，易形成
A: 过饱和溶液
B: 包埋
C: 后沉淀
D: 混晶
E: 胶体
A: 过饱和溶液
B: 包埋
C: 后沉淀
D: 混晶
E: 胶体
举一反三
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）。 A: 表面吸附 B: 包藏 C: 混晶 D: 后沉淀
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（） A: 表面吸附 B: 混晶 C: 机械吸留 D: 后沉淀
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近、电荷相同,则易形成( A: 表面吸附 B: 混合晶体 C: 机械吸附 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀