如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）
A: 表面吸附
B: 混晶
C: 机械吸留
D: 后沉淀
A: 表面吸附
B: 混晶
C: 机械吸留
D: 后沉淀
B
举一反三
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）。 A: 表面吸附 B: 包藏 C: 混晶 D: 后沉淀
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近、电荷相同,则易形成( A: 表面吸附 B: 混合晶体 C: 机械吸附 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸附共沉淀 B: 混晶共沉淀 C: 包藏共沉淀 D: 后沉淀
- 若杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近电荷相同，易形成 A: 过饱和溶液 B: 包埋 C: 后沉淀 D: 混晶 E: 胶体
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
内容
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀
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当溶液中杂质离子与构晶离子半径相近，晶体结构相同时，会形成( )。 A: 后沉淀 B: 机械吸留 C: 包藏 D: 混晶
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）?xml:namespace A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
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7.2-1在沉淀过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（） A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 继沉淀