如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近、电荷相同,则易形成(
A: 表面吸附
B: 混合晶体
C: 机械吸附
D: 后沉淀
A: 表面吸附
B: 混合晶体
C: 机械吸附
D: 后沉淀
B
举一反三
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（） A: 表面吸附 B: 混晶 C: 机械吸留 D: 后沉淀
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）。 A: 表面吸附 B: 包藏 C: 混晶 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸附共沉淀 B: 混晶共沉淀 C: 包藏共沉淀 D: 后沉淀
- 若杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近电荷相同，易形成 A: 过饱和溶液 B: 包埋 C: 后沉淀 D: 混晶 E: 胶体
- 用洗涤方法不可除去的沉淀杂质有(<br/>) A: 混晶共沉淀杂质 B: 包藏共沉淀杂质 C: 吸附共沉淀杂质 D: 后沉淀杂质 E: 表面吸附的离子
内容
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共沉淀现象产生是因为（ ）。 A: 沉淀表面电荷不平衡 B: 被测离子与杂质离子半径相近 C: 沉淀形成太快 D: 生成的沉淀溶解度太大
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重量分析中沉淀表面吸附杂质引起沉淀玷污，沉淀表面最优先吸附的是 A: 构晶离子 B: 高价离子 C: 极化程度大的离子 D: 离子结构类似
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重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（） A: 构晶离子 B: 高价离子 C: 极化程度大的离子 D: 浓度大的离子
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀