MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
B
举一反三
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？ A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。 B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。 D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：
- 中国大学MOOC: MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
- 下列电力电子器件中,容易实现并联运行的是（ ）。 A: SCR B: GTO C: IGBT D: MOSFET
- 电力MOSFET和IGBT由于具有正温度系数,所以在并联使用时能够实现电流的自动均衡。
内容
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有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是： A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。 B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。 C: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
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有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？ A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。 B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。 C: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。 D: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
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两台同型号并联运行离心泵的两台泵的流量相同。
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中国大学MOOC: 电力MOSFET具有正温度系数，可以实现并联均流
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【多选题】电缆敷设应符合哪些规定()。 A. 并联运行的电缆、规格、型号应相同 B. 并联运行的电缆长度可以不一样 C. 敷设时应预留一定长度 D. 弯曲半径应符合规定