MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：
型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
举一反三
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是( )。 A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行 B: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行 D: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？ A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。 B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。 D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
- 中国大学MOOC: MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
- 下列电力电子器件中,容易实现并联运行的是（ ）。 A: SCR B: GTO C: IGBT D: MOSFET
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
内容
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
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以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件 B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短 D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
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关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件