下面（ ）影响功率MOSFET或IGBT的大小。
A: 衬底掺杂浓度
B: 功函数差
C: 氧化层中的电荷
D: 沟道区掺杂浓度
A: 衬底掺杂浓度
B: 功函数差
C: 氧化层中的电荷
D: 沟道区掺杂浓度
举一反三
- 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。