关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-27 中国大学MOOC: 以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。 中国大学MOOC: 以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型 中国大学MOOC: 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中 中国大学MOOC: 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中 对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。 A: 正确 B: 错误
