关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-29 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 若理想MOS结构的衬底是N-Si，则达到强反型时，空间电荷区中的电荷为负电荷 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有() 以N-Si为衬底的理想MOS结构，达到强反型时，半导体表面电荷是 A: 负电荷 B: 正电荷 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的 中国大学MOOC: P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子
