关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,耗尽时半导体表面能带向()弯曲 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,耗尽时半导体表面能带向()弯曲 答案： 查看 举一反三 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有() 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0 中国大学MOOC: 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中 以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带
