MIS结构的半导体表面( ) 时，表面近似为本征表面。
A: 多子积累
B: 平带
C: 耗尽
D: 反型
A: 多子积累
B: 平带
C: 耗尽
D: 反型
举一反三
- 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？ A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 平坦能带 D: 本征状态 E: 少子反型 F: 少子积累 G: 少子耗尽
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态