关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-07-27 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响:()。 A: 阈值电压增大 B: 跨导增大 C: 亚阈区特性恶化 D: 漏源击穿电压增加 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响:()。A: 阈值电压增大B: 跨导增大C: 亚阈区特性恶化D: 漏源击穿电压增加 答案: 查看 举一反三 中国大学MOOC: 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响:( )。 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响( )。 A: 阈值电压增大 B: 器件的漏极电流增大 C: 器件的可靠性劣化 D: 器件的集成度增加 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为() 下列不属于电力MOSFET的主要参数是"()。 A: 漏源击穿电压 B: 鼎极连续电流 C: 棚漏击穿电压 D: 极间电容 场效应晶体管的主要参数有() A: 开启电压 B: 低频跨导 C: 漏源击穿电压 D: 最大耗散功率 E: 最大漏极电流