FET的输出特性曲线如下图所示,则该场效应管的类型是管，开启电压VGS（th）为。[img=459x380]17e0c775f0abf77.png[/img]
举一反三
- 某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启电压或夹断电压为______V。
- FET的输出特性曲线如下图所示,则该场效应管的夹断电压分VGS（off）和饱和漏极电流IDSS分别为()。[img=252x210]17e0ad3c4138419.png[/img] A: -3.5V，2mA； B: -3.5V，4mA； C: -2V，2mA； D: -2.5V，1mA；
- 已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=496x307]18031f55dea8e90.png[/img] A: P沟道DMOS管 B: P沟道EMOS管 C: N沟道DMOS管 D: N沟道EMOS管
- 一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=496x307]180336146e4e126.png[/img] A: P沟道DMOS管 B: P沟道EMOS管 C: N沟道DMOS管 D: N沟道EMOS管