增加栅氧厚度有利于降低MOS倒相器的开关时间.
举一反三
- 中国大学MOOC: 以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（ ）。
- 以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（ ）。 A: NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器 B: 当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD C: 当NMOS管导通时，输出电压VD下降 D: 管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
- 不影响MOS管阈值电压的参数有 A: 栅氧厚度 B: 衬底浓度 C: 源漏区的长度 D: 有效表面态电荷
- MOS管的栅源击穿电压一般比较小，因为栅氧化层厚度较小 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 为了减小单沟道MOS集成倒相器导通时的输出电压，要求负载管的跨导___些，倒相管的跨导___些（ ）。