不影响MOS管阈值电压的参数有
A: 栅氧厚度
B: 衬底浓度
C: 源漏区的长度
D: 有效表面态电荷
A: 栅氧厚度
B: 衬底浓度
C: 源漏区的长度
D: 有效表面态电荷
举一反三
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
- 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降
- 一个NMOS管的源端接地，栅电压为1.8V，漏端电压为0.2V，衬底接地，已知其阈值电压等于0.3V，则此MOS管的工作区是（） A: 截止区 B: 饱和区 C: 速度饱和区 D: 线性（电阻）区
- 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误
- 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷