IGBT半桥式逆变电路的组成需要（ ）。
A: 1只（组）IGBT
B: 2只（组）IGBT
C: 3只（组）IGBT
D: 4只（组）IGBT
A: 1只（组）IGBT
B: 2只（组）IGBT
C: 3只（组）IGBT
D: 4只（组）IGBT
举一反三
- 1957年美国通用电气(GE)公司研制出第一只() A: IGBT B: MOSFET C: GTR D: SCR
- IGBT的特点说法不正确的是（ ） A: IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件 B: IGBT目前没有抗短路能力 C: IGBT是电压型驱动器件 D: IGBT的设计中需要提供过电压保护
- 【多选题】关于IGBT下列说法正确的是() A. IGBT是不可控元器件。 B. 因为IGBT的特殊结构，IGBT具有很强的电流控制能力。 C. 开关状态的IGBT工作在有源区。 D. IGBT是全控型电力电子器件
- 关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
- 辅助系统IGBT逆变电路由组成（） A: GDU B: 滤波电容器C C: 驱动电源 D: 温度继电器