关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-28 均匀基区晶体管的基区存在复合，基区内少子的分布可近似为线性分布，主要原因是（ ）。 A: 基区宽度远小于基区中少子的扩散长度 B: 基区的杂质是均匀分布的 C: 发射结和集电结是突变结 D: 发射区和集电区的杂质是均匀分布的 均匀基区晶体管的基区存在复合，基区内少子的分布可近似为线性分布，主要原因是（ ）。A: 基区宽度远小于基区中少子的扩散长度B: 基区的杂质是均匀分布的C: 发射结和集电结是突变结D: 发射区和集电区的杂质是均匀分布的 答案： 查看 举一反三 在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场，少子在基区中以()运动为主。 中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场，少子在基区中以( )运动为主。 薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。 在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场。少子在基区以（）运动为主，因此这种晶体管又称为漂移晶体管。 晶体管中基区和发射区间的PN结称为,基区和集电区间的PN结称为。
