在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场，少子在基区中以()运动为主。
漂移
举一反三
内容
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在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
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13、缓变基区晶体管的基区自建电场能加速载流子通过基区。
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均匀基区晶体管的基区存在复合，基区内少子的分布可近似为线性分布，主要原因是（ ）。 A: 基区宽度远小于基区中少子的扩散长度 B: 基区的杂质是均匀分布的 C: 发射结和集电结是突变结 D: 发射区和集电区的杂质是均匀分布的
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缓变基区晶体管的特征频率一般()均匀基区晶体管的特征频率。
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中国大学MOOC: 以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（ ）