某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。
A: 耗尽型PMOS
B: 耗尽型NMOS
C: 增强型PMOS
D: P沟道结型管
A: 耗尽型PMOS
B: 耗尽型NMOS
C: 增强型PMOS
D: P沟道结型管
举一反三
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管
- 某场效应管的为6mA,而自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。 A: P沟道结型管 B: N沟道结型管 C: 增强型PMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（） A: N沟道JFET B: 增强型PMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 下列场效应管中,无原始导电沟道的是( )。 A: P沟道JFET B: 增强型NMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 【单选题】已知某 MOS 管的衬底是 P 型半导体,且仅当栅源电压大于开启电压时才能形成导电沟道,此场效应管为()。 A. 耗尽型 NMOS 管 B. 增强型 NMOS 管 C. 耗尽型 PMOS 管 D. 增强型 PMOS 管