离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 中国大学MOOC: 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法
- 看图判断，下列哪种描述正确：[img=980x269]18037d2a7654308.png[/img] A: 图（a）是注入的低能离子； B: 图（a）是注入的高能离子； C: 图（b）是注入的低能离子； D: 图（b）是注入的高能离子。
- 离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主
内容
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离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
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注入离子能量越高，离子射程越大。
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离子注入的结深主要有注入的能量决定，杂质浓度分布是由剂量决定。 A: 正确 B: 错误
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离子注入中，投影射程及标准偏差，除了与材料有关外，还与注入能量有关。 A: 正确 B: 错误
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半导体生产中离子注入的常见的应用包括: A: 阈值电压调整 B: 浅结注入 C: 埋层注入 D: SOI绝缘层