离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法
- 看图判断，下列哪种描述正确：[img=980x269]18037d2a7654308.png[/img] A: 图（a）是注入的低能离子； B: 图（a）是注入的高能离子； C: 图（b）是注入的低能离子； D: 图（b）是注入的高能离子。
- 离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主