智慧职教: 如果IGBT栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，此时IGBT处于（）。
举一反三
- 关于IGBT的工作原理的描述,错误的是。 A: U_GE＞开启电压U_GE(th)时，MOSFET导通，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 B: 电导调制效应使电阻R_N增加，使通态压降增加。 C: 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 D: IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，有电导调制效应，具有很强的通流能力。
- 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。
- IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,( ) A: IGBT速度更快,电流更大 B: IGBT速度较慢但电流更大 C: lGBT的控制门极输入电阻更高 D: IGBT的耐压能力与 MOSFET一样
- 智慧职教: IGBT属于场控器件，通断由栅射极电压决定。
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电流控制型器件。