关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 答案： 查看 举一反三 根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（） A: 导通 B: 截止 C: 放大 D: 击穿 IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。 当 UGE为正且大于（ ） ，IGBT导通。 A: 开启电压 B: 擎住电流 C: 维持电流 D: 导通电流 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 中国大学MOOC: IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
