智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。

根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（） A: 导通 B: 截止 C: 放大 D: 击穿

IGBT的开通和关断由栅极、发射极间电压Uge决定。

‍IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。‏

中国大学MOOC: IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。

开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。

开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误

随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高,控制电流(栅极电流)IG≈0,故驱动功率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势

当 UGE为正且大于（ ） ，IGBT导通。 A: 开启电压 B: 擎住电流 C: 维持电流 D: 导通电流

IGBT是全控型器件,通过栅极和源极之间的控制电压uGE,既可以控制IGBT开通,也可以控制IGBT关