根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（）
A: 导通
B: 截止
C: 放大
D: 击穿
A: 导通
B: 截止
C: 放大
D: 击穿
举一反三
- 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高,控制电流(栅极电流)IG≈0,故驱动功率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非...率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势