根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（）
A: 导通
B: 截止
C: 放大
D: 击穿
A: 导通
B: 截止
C: 放大
D: 击穿
A
举一反三
- 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高,控制电流(栅极电流)IG≈0,故驱动功率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非...率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势
内容
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当IGBT的栅极电压大于开启电压时，IGBT导通
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随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化，绝缘栅双极晶体管（IGBT）将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高，控制电流（栅极电流）IG≈0，故驱动功率小。因此在（ ）中，IGBT处于绝对优势。 A: 大型变频器 B: 中小容量变频器 C: 直流调压调速系统 D: 高精密变频调速系统
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当 UGE为正且大于（ ） ，IGBT导通。 A: 开启电压 B: 擎住电流 C: 维持电流 D: 导通电流
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IGBT上在集-射集电压大于开启电压时,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态。
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IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。