题2-2-3、下列说法正确的是（）。
A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C: MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D: MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C: MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D: MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
举一反三
- 题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。 A: 栅极氧化层电容 B: 耗尽层电容 C: 源漏交叠电容 D: 结电容
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件沟道长度成正比
- 题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。 A: MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP B: 下级电路的输入电容Cin C: MOS管的结电容 D: 互连线引起的寄生电容Cl
- 如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。 A: MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP B: 下级电路的输入电容Cin C: MOS管的结电容 D: 互连线引起的寄生电容Cl
- 下列不是半导体器件的是( )。 A: 二极管 B: 三极管 C: MOS管 D: 电容