某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构，该芯片每隔2ms至少刷新一次，且刷新是通过顺序对所有128行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns。求进行刷新操作的时间所占的百分比。×
举一反三
- 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问: （1）需要多少片DRAM芯片？ （2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
- DRAM存储器芯片的刷新是按（ ）进行的。 A: 行 B: 列 C: 存储单元 D: 存储元
- 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
- 用16K × 1位的DRAM芯片构成64K × 8位的存储器。要求： （1）画出该存储器组成的逻辑框图。 （2）设存储器读 / 写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存贮单元刷新一遍，所需实际刷新时间是多少？
- 【单选题】下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是() A. 按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。 B. 刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。 C. 刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。 D. 集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性