金属的电子热容与晶体能带的哪个属性密切相关?(
)
A: 能带宽度
B: 费米能级位置;
C: 费米能级处电子的有效质量
D: 费米能级处的能态密度
)
A: 能带宽度
B: 费米能级位置;
C: 费米能级处电子的有效质量
D: 费米能级处的能态密度
举一反三
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 有两块一模一样的晶体，一块放在海平面以下1000米处，一块放在海平面以下5000米处，费米能级更低的是： A: 1000米处的晶体费米能级更低 B: 5000米处的晶体费米能级更低 C: 不确定哪块晶体的费米能级更低 D: 两块晶体的费米能级一样大
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
- 下列有关能带理论描述正确的是(<br/>) A: 费米能级是电子占用的最低能级 B: 电子占用遵循遵循能量最低原则和Paoli原则 C: s能带相互作用强,能带宽,电子密度小 D: 电子填充从高向低能级填充
- 以下关于“费米能级”的说法正确的是（） A: 费米能级标志着电子填充能级的水平 B: 费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况 C: 处于热平衡状态的电子系统具有统一的费米能级 D: 费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线