光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ）
A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除
B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附
C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力
D: 防止光刻胶沾到设备上
A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除
B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附
C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力
D: 防止光刻胶沾到设备上
A,B,C,D
举一反三
- 在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
- 光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
内容
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三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
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课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
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光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶