解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶
光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶
中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ） A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ） A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
PR的意思是 A: 光刻 B: 刻蚀 C: 光刻胶 D: 增粘剂
PR的意思是 A: 光刻 B: 刻蚀 C: 光刻胶 D: 增粘剂