在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。
A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化
B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力
C: 防止沾污设备
D: 增强光刻胶的粘附性
A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化
B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力
C: 防止沾污设备
D: 增强光刻胶的粘附性
A,B,C,D
举一反三
- 光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ） A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
- 涂好胶的晶元软烘（前烘）后光刻胶膜厚将减薄。
- 中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
- 光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
内容
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在光刻工艺中，涂覆光刻胶主要采用旋转涂覆法。为便于夹取，光刻胶经硬烘烤后，需要将晶圆四周的光刻胶用物理方法除去。
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涂好胶的晶元软烘（前烘）后光刻胶膜厚将减薄。 A: 正确 B: 错误
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶
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光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是（）。 A: 坚膜 B: 前烘 C: 后烘 D: 涂胶
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光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶