存在擎住效应的器件是（ ）。
IGBT
举一反三
内容
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IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
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IGBT具有擎住效应。
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在导通过程中，能引起擎住效应的器件为( )。 A: gtr B: gto C: IGBT D: MOSFET
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引发IGBT擎住效应的原因
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引起IGBT擎住效应的因素有