关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-27 存在擎住效应的器件是（ ）。 A: PMOSFET B: SCR C: IGBT 存在擎住效应的器件是（ ）。A: PMOSFETB: SCRC: IGBT 答案： 查看 举一反三 存在擎住效应的器件是（ ）。 简述IGBT擎住效应,如何防止擎住? 什么是IGBT的擎住效应？产生擎住效应的原因有哪些？如何消除擎住效应？ IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管 IGBT具有擎住效应。
