存在擎住效应的器件是（ ）。
A: PMOSFET
B: SCR
C: IGBT
A: PMOSFET
B: SCR
C: IGBT
C
举一反三
内容
- 0
引发IGBT擎住效应的原因
- 1
IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
- 2
IGBT具有擎住效应。 A: 正确 B: 错误
- 3
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 4
引起IGBT擎住效应的因素有