关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-27 在IGBT使用过程中，应（），避免擎住效应，以确保器件的安全。 A: 保证集电极电流不超过最大值 B: 增大栅极电阻 C: 减缓IGBT的关断速度 D: 减小反向电压 在IGBT使用过程中，应（），避免擎住效应，以确保器件的安全。A: 保证集电极电流不超过最大值B: 增大栅极电阻C: 减缓IGBT的关断速度D: 减小反向电压 答案： 查看 举一反三 IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。 IGBT栅极失去对集电极电流的控制作用,电流失控,这种现象称为( )。 A: 擎住效应 B: 热击穿 C: 发热效应 D: 二次击穿 IGBT在何种情况下会出现擎住效应？使用中如何避免出现该效应？ 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题 存在擎住效应的器件是（ ）。 A: PMOSFET B: SCR C: IGBT
