IGBT栅极失去对集电极电流的控制作用,电流失控,这种现象称为( )。
A: 擎住效应
B: 热击穿
C: 发热效应
D: 二次击穿
A: 擎住效应
B: 热击穿
C: 发热效应
D: 二次击穿
A
举一反三
- IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
- IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管
- 引起IGBT擎住效应的因素有 A: 集电极电流过大 B: 过大 C: 温度升高 D: 驱动电流过大
- IGBT集电极电流过大或[img=34x35]17e4360b844dbcd.jpg[/img]过大，都会加重发生擎住效应的危险。
- 在IGBT使用过程中，应（），避免擎住效应，以确保器件的安全。 A: 保证集电极电流不超过最大值 B: 增大栅极电阻 C: 减缓IGBT的关断速度 D: 减小反向电压
内容
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【单选题】对于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)来说,下面说法错误的是 A. IGBT具有擎住效应 B. IGBT具有二次击穿效应 C. IGBT是电压驱动型电力电子器件 D. IGBT是复合型电力电子器件
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
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当电力晶体管GTR的集电极电压升高到击穿电压时,如果电流不加以限制,会使集电极电流急剧上升,电压陡然下降,此现象称为二次击穿