某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
A: 12A
B: 25A
C: 36A
D: 40A
A: 12A
B: 25A
C: 36A
D: 40A
举一反三
- 中国大学MOOC: 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（ ）。
- 中国大学MOOC: 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 A: [img=53x27]1803ab5cce69072.png[/img] B: [img=53x27]1803ab5cd6dbab5.png[/img] C: [img=53x27]1803ab5cdf38ac4.png[/img] D: [img=53x27]1803ab5ce8f0d3b.png[/img]
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。