某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
A: 12A
B: 25A
C: 36A
D: 40A
A: 12A
B: 25A
C: 36A
D: 40A
A
举一反三
- 中国大学MOOC: 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（ ）。
- 中国大学MOOC: 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（ ）。 A: [img=53x27]1803ab5cce69072.png[/img] B: [img=53x27]1803ab5cd6dbab5.png[/img] C: [img=53x27]1803ab5cdf38ac4.png[/img] D: [img=53x27]1803ab5ce8f0d3b.png[/img]
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
内容
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
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当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。（）
- 2
一单限电压比较器，其饱和输出电压为+12V，若反相端输入电压为3V，则当同相端输入电压为4时，输出（ ）V；当同相端输入电压为2V时，输出为（ ）V。 A: +12 -12 B: -12 +12 C: +4 -4 D: -4 +4
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555定时器构成的施密特触发器其回差电压为（）。 A: V B: V／2 C: 2V／3 D: V／3
- 4
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。 A: 0 B: 1 C: 5 D: 10