对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是？
A: 两者的界面处 一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
B: 界面两边形成的都是耗尽层
C: 界面两边形成的都是积累层
D: 界面两边形成的都是反型层
A: 两者的界面处 一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
B: 界面两边形成的都是耗尽层
C: 界面两边形成的都是积累层
D: 界面两边形成的都是反型层
举一反三
- 如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？ A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
- 一块厚度为δ的大平板,有均匀内热源φ(φ>0),则对于板中发生的一维稳态导热问题的下列说法中,正确的是 A: 两边界面可能均为冷却面 B: 两边界面可能均为加热面 C: 一边界面可能为绝热面，另-边界面可能为加热面 D: 两边界面可能均为绝热面
- 在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
- 绘图板的工作边为（） A: 短边 B: 长边 C: 两边都是 D: 无工作边
- 长边与短边之比小于2，但是不能作为双向板计算的情况是( )。 A: 一边固定，三边自由 B: 两长边固定，两短边自由 C: 两短边简支，两长边固定 D: 三边简支，一边自由