在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。(
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举一反三
- Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。（）
- 施主型界面态主要是由引起的，受主型界面态主要是由引起的（）。 A: 悬挂键，晶格失配 B: 悬挂键及晶格失配，杂质 C: 杂质及悬挂键，晶格失配 D: 杂质，悬挂键及晶格失配
- 施主型界面态主要是由 引起的，受主型界面态主要是由 引起的（）。 A: 悬挂键，晶格失配 B: 悬挂键及晶格失配，杂质 C: 杂质及悬挂键，晶格失配 D: 杂质，悬挂键及晶格失配
- 在异质结的界面处引入界面态的原因包括: A: 材料表面的原子重构 B: 由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态 C: 在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配 D: 化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
- 在异质结的界面处引入界面态的原因包括： A: 在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配 B: 由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态 C: 化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态 D: 材料表面的化学吸附 E: 材料表面的原子重构