金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ）
A: 不变
B: 增加
C: 减小
D: 不能确定
A: 不变
B: 增加
C: 减小
D: 不能确定
举一反三
- 中国大学MOOC: 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ）
- 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（ ） A: 不变 B: 增加 C: 减小 D: 无法确定
- 中国大学MOOC: 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（ ）
- 金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体 A: 势垒区宽度远小于电子的平均自由程 B: 势垒区宽度远大于电子的平均自由程 C: 势垒区宽度等于电子的平均自由程 D: 不确定
- 关于外加电压对接触势垒的影响，以下说法正确的是？ A: 外加正偏压时，半导体一侧势垒降低 B: 外加反偏压时，半导体一侧势垒增高 C: 外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变 D: 外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变 E: 外加正偏压时，半导体一侧势垒增高 F: 外加反偏压时，半导体一侧势垒降低