P型半导体中（ ）是少子，少子数目主要决定于（ ）
A: 空穴，温度
B: 空穴，掺入杂质的原子浓度
C: 电子 ，温度
D: 电子，掺入杂质的原子浓度
A: 空穴，温度
B: 空穴，掺入杂质的原子浓度
C: 电子 ，温度
D: 电子，掺入杂质的原子浓度
举一反三
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（） A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度
- 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于() A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度 D: 质量
- 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A: 少子 B: 多子 C: 杂质离子 D: 空穴
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体