理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
举一反三
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误
- 已知一个MOS管,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则
- 中国大学MOOC: 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 这是P沟增强型MOS管 B: 这是N沟增强型MOS管 C: 这是P沟耗尽型MOS管 D: 这是N沟耗尽型MOS管
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构