理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
对
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举一反三
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误
- 已知一个MOS管,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则
- 中国大学MOOC: 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 这是P沟增强型MOS管 B: 这是N沟增强型MOS管 C: 这是P沟耗尽型MOS管 D: 这是N沟耗尽型MOS管
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
内容
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理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体
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不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层
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对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
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理想MOS结构是( )。 A: 金半功函数差为零 B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零 C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态 D: 无法确定
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有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降