已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
举一反三
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 这是P沟增强型MOS管 B: 这是N沟增强型MOS管 C: 这是P沟耗尽型MOS管 D: 这是N沟耗尽型MOS管
- 中国大学MOOC: 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
- 已知一个MOS管,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则
- 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型
- 理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体