理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误

2022-06-30

理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
A: 正确
B: 错误

答案：

A

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理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体
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不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层
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有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误
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以下关于理想MOS结构的说法中，正确的是（）。 A: 不考虑Si-SiO2界面的结构 B: 不考虑金属和半导体之间的功函数之差 C: 金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子 D: 都正确
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对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压