中国大学MOOC: 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
举一反三
- 已知一个MOS管,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 这是P沟增强型MOS管 B: 这是N沟增强型MOS管 C: 这是P沟耗尽型MOS管 D: 这是N沟耗尽型MOS管
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误
内容
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不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层
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以N沟道增强型MOSFET为例，金属与半导体的功函数差（假设金属的功函数小于半导体的功函数）的绝对值越大，阈值电压越大
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理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体
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不考虑表面态，金属和p型半导体接触，如果金属功函数小于半导体功函数，则称它们接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触曾
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有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降