MIS（p型）结构中金属加正电压为正偏。如果增加正偏压使半导体表面多子耗尽，这时表面处 。
A: EF
B: EF=Ei
C: EF>Ei
D: 不能确定
A: EF
B: EF=Ei
C: EF>Ei
D: 不能确定
B
举一反三
- 金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
- 由p型半导体组成的MIS结构，当金属与半导体间加正电压时，下列说法正确的是 A: 表面势为负 B: 表面处能带向下弯曲 C: 表面处空穴浓度比体内低 D: 表面处电子浓度比体内高
- MIS结构的半导体表面( ) 时，表面近似为本征表面。 A: 多子积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- 对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
内容
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对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
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对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
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对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
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对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
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某理想MIS(n型半导体衬底)结构中,若在金属栅上加足够高正电压,则以下______说法错误。 A: 金属的费米能级比半导体低 B: 半导体表面势为正 C: 半导体表面能带向下弯曲 D: 半导体表面处于积累状态 E: 以上说法都不对